国产光刻机又有新技术突破，离第五代光刻机只剩一步之遥。
随着半导体纵向发展，芯片制造工艺也越来越先进，从最早的几百纳米到如今的3nm，如今光刻机已经进入到第六代，尤其是第六代EUV光刻机制造难度直达100级，仅零部件就超过了10万个，线路多达4000条，管线长达2公里，总重达到了180吨，这还是次要的，最关键的这台机器是由20多国家提供的核心技术。
由于光刻机技术太过复杂，加上西方等国对这方面的技术封锁，目前国产光刻机还停留在90nm第四代ArF干式光刻机这一代，如果要迈入第五代ArFi浸润式光刻机，还有很多方面需突破。
近日，哈工大就宣布了一项有关光刻机的技术成果，一种名为“高速超精密激光干涉仪”技术获得突破，据悉这项技术是14nm光刻机的重要技术，可以确保掩膜工作台、双工作台和物镜系统之间复杂的相对位置，实现光刻机的整体套刻精度。
这一关键技术的突破，虽然还不能让我们的光刻机进入到第五代，但无疑又向前迈进了一大步。
就目前来看，我们的国产光刻机只差一步就可以迈进第五代光刻机俱乐部，因为ArF光刻机与ArFi光刻机用的都是同一种193nm紫外线光源，加上哈工大的高速超精密激光干涉仪，最后就只差浸润式物镜系统这一步了。
但是这一步恰恰是光刻技术最尖端的部分，也是最为复杂的部分，这中间涵盖了光学、电子学、计算机、机械学等多个学科领域的前沿技术，目前只有德国和日本掌握了这部分技术，如果这一部分技术我们获得成功就能够造出第五代光刻机，从而实现7nm芯片代工。
虽然哈工大这一关键技术离第五代光刻机还很遥远，但只要有所突破就一定是好消息。
智能手机进入秒充时代，首销就断货。
随着智能手机的功能集中化，人们开始越来越依赖于智能手机，虽然功能丰富了，但电量焦虑却愈发明显，不过好在随着耗电量的增加，充电技术也在不断迭代。
总体来说，手机充电技术已经经历过三次迭代，第一代慢充，充电时间为8~9小时，第二代快充，充电时间为2~3小时，第三代闪充，充电时间为20~50分钟。
不过近两年充电技术又得到了进一步的突破，已经从原来的20分钟缩短到15分钟内，2023年，又一款国产手直接将充电速度定格在了个位数。
2月9日，真我发布了全球充电速度最快的手机——真我GT Neo5，该手机把充电功率做到了240W，在低电量的情况下，只需充电30秒就可实现通话两小时，充电9分钟就可以充满全部电量，这也标志着智能手机充电时间正式进入个位数，达到了秒充级别。
根据2月15日京东、天猫双平台首销战报显示，真我GT Neo5首销获得了近三个月所有手机新品首销全天销量的第二名，其中1TB版的销量超过了近一年所有安卓1TB手机累计销量总和，昨天小编去京东看了一下1TB套餐已经处于无货状态。
那么，真我GT Neo5除了充电快外，到底还有那些亮点，能够一举成为2023年首个国产爆款手机呢？
首先就是配置，真我GT Neo5 搭载了骁龙8+处理器+独显，LPDDR5X内存以及增强版UFS3.1硬盘，屏幕为6.74英寸2772×1240定制1.5K分辨率柔性直屏，支持2160Hz超高频PWM调光，这些都是硬通货，对于游戏用户来说，能够获得非常稳定和流畅的游戏体验是至关重要的，显然真我GT Neo5完全能够满足。
第二个就是拍照方面，5000万的索尼镜头+超广角+微距镜头，完全可以满足日常拍照需求，尤其是在拍摄夜景或暗光场景时，在真我自研的HyperShot2.0算法加持下，所拍摄出的画面依然清晰亮丽而富有质感。
第三个方面就电池容量，240W版搭载了4600mAh电池，150W版搭载了5000mAh电池，加上闪充技术基本上可以告别电量焦虑。
最后就是价格因素，作为一款电竞旗舰手机，16G+1TB才3499，不买都觉得香。
因此，#真我GT Neo5#一上市就获得了非常不错的销量，尤其是1T版想要抢到估计只有蹲守了！
